压电晶体专业术语

压电晶体专业术语


专业术语
★ 标称频率
该频率特指晶体元器件的性能指标，表示为MHz或KHz。
★ 频率偏差
标称频率在一定温度（一般是25℃）下的允许偏差，表示为百分数（%）或百万分之几（ppm）。
★ 频率稳定性
稳定性是指标称频率在一定温度范围内的允许偏差，规定在25℃下，此项偏差为0，以标称频率的百分数（%）或百万分之几（ppm）来表示。如前所述，这个参数与石英晶片的切角密切相关。
★ 工作温度范围
石英晶体元器件在规定的误差内工作的温度范围。
★ 储存温度范围
晶体在非工作状态下保持标准特性的温度范围。
★ 负载电容（CL）
任何外部电容一旦与石英晶体元器件串联，即会成为其谐振频率一个决定因素。负载电容变化时，频率也会随之改变。因此，在电路中使用时，经常会以标准负载电容来微调频率至期望值。

★ 静态电容（C0）
电极之间的静态电容和安装系统中的杂散电容。
★ 等效串联电阻（ESR，Rr，R1）
晶体在谐振频率下的电阻值，ESR表示晶体的阻抗，单位为欧姆。
★ 激励电平
流过晶体的激励电流的一项功能。激励电平是晶体中功率损耗的数值。最大功率是大多数功率器件在保证正常电气参数的情况下，维持工作所消耗的功率，单位为mW或uW。激励电平应维持在确保石英晶体正常起振和稳定振荡所需要的最低值，以避免年老化特性不良和晶体损伤。
★ 泛音晶体
晶体通常在基频下工作，但对电路做轻微调整后，即可在第三、第五、第七、第九倍频下工作。为了保证泛音晶体在特定的倍频下振动，其切型角度、平行度和表面光洁度经过了特殊修正。
★ 绝缘电阻
引线之间或引线和壳体之间的电阻。
★ 老化
工作频率在特定时间范围内的变化量，一般表达为最大值，单位是每年频率变化量的百万分之几（ppm/年）。频率随时间而变化的原因有很多，如：密封特性和完整性、制造工艺、材料类型、工作温度和频率。

CL=（C1×C2）/（C1+C2）+杂散电容 杂散电容可以在2pF-6pF之间变化
　　注意
• 当应用于CMOS振荡电路时，为了将激励电平保持在特定的数值范围内，获得稳定的振荡，电路图中的Rd是必不可少的。
• C1和C2必须在10－31pF范围内,如果C1 小于10pF或C2大于30pF，则振荡很容易受到电路不同状况的影响，会使激励电平增加或负电阻减少，导致了振荡频率不稳定。
• 晶体振荡电路布线时，应尽可能短一些。
• 电路和接地部分之间的杂散电容应当减小。
• 晶体振荡电路部分与其它电路部分要避免桥接。
• 超声波清洗会使晶体性能退化。