品质异常－－电容不良，执行何种程序/理论作业？
Dear all：
i will show the actual case for you reference,and pls tell you idea to us, thank you!
我们的 产品因为一个电容的问题导致电讯不良，此问题是在TEST时发现的，后来按照电路原理采取逐一替代法层别 出PCBA 上的电容问题，应该是电容承受电流的能力异常，因为其他位置也有同样的27PF的电容没有发生问题。
PROBLEM 1：目前关键时次PCBA产品数量达 几百K，请问如何SORTING？以保证将不良材料HOLD住；
ACTION:我们目前没有解决此类问题的方法，好像整个业界也没有合适的方法处理电容可靠度的问题
PROBLEM 2:当前发生不良，我们如何找供应商索赔？
ACTION:此电容是因为承受电流能力发生问题，所以即使使用特定的仪器确认容值，也有可能容值根本就是 IN SPEC，所以我们只能拿两种不同电容来以实际制程中发生的不良来找其索赔！
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我们的 产品因为一个电容的问题导致电讯不良，此问题是在TEST时发现的，后来按照电路原理采取逐一替代法层别 出PCBA 上的电容问题，应该是电容承受电流的能力异常，因为其他位置也有同样的27PF的电容没有发生问题。
PROBLEM 1：目前关键时次PCBA产品数量达 几百K，请问如何SORTING？以保证将不良材料HOLD住；
ACTION:我们目前没有解决此类问题的方法，好像整个业界也没有合适的方法处理电容可靠度的问题
PROBLEM 2:当前发生不良，我们如何找供应商索赔？
ACTION:此电容是因为承受电流能力发生问题，所以即使使用特定的仪器确认容值，也有可能容值根本就是 IN SPEC，所以我们只能拿两种不同电容来以实际制程中发生的不良来找其索赔！
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tusoln (威望:0)
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2.此不良为电击穿(短路或假性短路);
3.可能导致的原因:
A.电容过SMT时温度过高或冷热冲击致电容本体开裂;
B.电容本体在CP机或装Feeder时受外力致使本体破裂(Broken);
C.双面板在过2次Reflow时致使PCB变弯(Bending)大于1mm,致使SMD本体破裂.此一般出现在低TG板或单双面板中;
D.NP0电容被高压击穿,高压是指超过其额定电压之2.5倍(如电容为10VDC,可能之高压（浪涌电压=DC+AC有效值）超过25V.此电压一般来自ICT测试或FCT测试之热插拔.
E.电容本体无法承受2.5X之电压。就是说电容耐压值NG.此为电容本体不良.此多为陶瓷电容通病。
所以，建议之处理办法如下：
1.让供应商做Hi-pot测试(耐电压测试),判定是否为电容本体不良.
2.将不良电容取样做切片分析，分析之前测试其是否短路并开20X放大镜观查有无异常.万用表测试阻抗(正常值应大天100GOHM)
3.PE、ME或TE分析有无热插拔等不良操作.
当然，所有分析应先层别机种、线别、不良率、不良位号等等基本资料。
对于PCBA,可有以下处理意见：
1.加大B/I时间和温度测试;
2.振动测试;
3.跌落测试;
............
用C=0判定，确认为供应商不良可直接要求赔偿.
另可以告诉电容是哪一家的？华新科、国巨、TDK、others?