典型的异常特性曲线原因

典型的异常特性曲线原因

1. 软击穿：PN结反向电流在低电压下就开始逐渐增加，并且无明显转折点。芯片表面沾污导电物质，受潮气影响引起外表面漏电，它相当于在PN接上并联了一个电阻。
（1） 芯片表面沾污导电物质，受潮气影响引起外表面漏电，它相当于在PN接上并联了一个电阻；
（2） PN结遭受电过应力损伤，使特性受到破坏。（电浪涌和静电）
（3） 受核辐射后产生的辐射陷阱引起复合作用；
（4） 材料缺陷和重金属杂质污染严重；
（5） 外延层高度杂质补偿。
2. 靠背椅沟通击穿：在很小的反偏电压下出现场感应结击穿，电流上升到一个饱和值（约几十微安到几毫安）随电压增加才出现。
（1） 芯片表面硅氧化物内的可动电荷引起；
（2） 掺杂浓度低；
（3） 对光照特别明显。
3. 管道型击穿：第一次击穿后电流上升缓慢，相当于串进一个大电阻，升高到一定值后发生二次击穿。
（1） PN结面不平整；
（2） 缺陷，杂质分布不均，腐蚀面粗糙、针孔。
4. 低击穿：击穿电压远低于理论计算值时发生的一种击穿。
（1） 尖峰扩散面积大；
（2） 外延后缺陷多、电阻率不均匀。
5. 受阻击穿：击穿电压突然降到一个比击穿电压低得多的数值。
（1） 硬击穿越好越容易出现；
（2） 局部击穿；
（3） 软击穿的雪崩效应很弱不会出现。
6. 蠕变：一种向上，一种向下。
（1） 向上由于 氧化层内较多污染；
（2） 结表面不光滑出现较强电场；
（3） 芯片及 化层有 污。
7. 双线击穿：芯片外表面污染。
8. 台阶击穿：焊接不良出现反型夹层。
9. 击穿点振荡：
（1） 测试时出现瞬间开路（未接触好）；
（2） 芯片外表面污染。